特許
J-GLOBAL ID：200903039084911819
単結晶SiCおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 孝一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-197295
公開番号（公開出願番号）：特開2000-034198
出願日： 1998年07月13日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】 非常に大型で、しかも、結晶粒界、マイクロパイプ欠陥等が非常に少ない上に高純度できわめて良質の単結晶を生産性よく製造することができるようにする。【解決手段】 β-SiC単結晶基材1の表面に熱CVD法でβ-SiC多結晶層2を形成してなる複合体Mを2100〜2400°Cの高い温度で熱処理してβ-SiC多結晶層2の多結晶体を再結晶して単結晶に転化させるとともに、その単結晶部分及びβ-SiC単結晶基材1を含めて結晶軸が同方位に配向されたα-SiC単結晶を一体に大きく育成させる。
請求項（抜粋）：
β-SiC単結晶基材の表面にβ-SiC多結晶層を形成してなる複合体を熱処理することにより、上記β-SiC多結晶層の多結晶体を再結晶化して単結晶に転化させるとともに、その単結晶部分及び上記β-SiC単結晶基材を含めて結晶軸が同方位に配向されたα-SiC単結晶を一体に成長させていることを特徴とする単結晶SiC。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
4G050AA03
, 4G050AB02
, 4G077AA03
, 4G077AB02
, 4G077BE08
, 4G077DA01
, 4G077DB05
, 4G077DB09
, 4G077EA01
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077FE02
, 4G077FE11
, 4G077HA12
