特許
J-GLOBAL ID：200903039091350830
半導体装置表面の溝の平坦化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 豊 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-171630
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259135
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造過程において表面の溝部分を平坦化するにあたり、平坦化のプロセスを最適化し、より完全に平坦化されかつ平坦化処理性を高め得るようにする。【構成】 サンプル試料について平坦化のための研磨を行ない、その間における各パラメータを測定し、その結果を実際の製造過程にある半導体装置に適用して平坦化のための研磨を行なう。また、硬質なキャップ層を用いることによって、過剰に彫り込まれてしまうことを防止する、等の構成が適用される。
請求項（抜粋）：
半導体装置の表面形状の不規則な凹凸を研磨するための方法であって、第1の凹凸形状を有するサンプル試料を研磨する段階を備えており、前記サンプル試料研磨段階は、研磨中における前記第1の凹凸形状の高さ(h)および幅(W)を測定する過程と、前記第1の凹凸形状の形状アスペクト比(FAR=h/W)を計算する過程と、研磨中における第1の凹凸形状の内側の除去速度(Ri)および第1の凹凸形状の外側の除去速度(Ro)を測定する過程と、相対研磨速度(RPR=Ri/Ro)を計算する過程と、前記第1の凹凸形状の幅(W)、RPR、およびFARをプロットする過程、とを有しており、さらに、前記第1の凹凸形状のプロットの図形的な観察の結果に基いて、サンプル試料の前記第1の凹凸形状に類似する第2の凹凸形状を有する半導体装置を研磨する段階を備えていることを特徴とする、半導体装置表面の溝の平坦化方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, C03C 15/00
, C03C 25/06
