特許
J-GLOBAL ID：200903039094722739
集積回路の種々の厚さの耐火性金属シリサイド層を形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
頓宮 孝一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-151873
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094963
出願日： 1991年06月24日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 種々の厚さ及び/又は種々の反応性金属からなりうる層である反応性金属シリサイド層をシリコン基板上の2つの間隔をおいた場所に形成する方法を提供する。【構成】 シリコン基板10上に二酸化窒素層、ポリシリコン層16、耐火性金属層及び非反射性材料層を形成する。通常のフォトレジスト技術により、チタン窒化物、チタン及びポリシリコンを型取ってつくり、チタンを接触しているポリシリコンと反応させてチタンシリサイド30を形成する。シリコン基板10の上の二酸化珪素14の一部はその後除去して、露出した基板10にイオン移植してソース/ドレン領域27を形成する。耐火性金属の第2層はソース/ドレン領域27上、及びチタン窒化物又は最初にチタン窒化物を除去することにより形成した第1の形成済みのシリサイド30上に堆積させる。耐火性金属の第2層は、ソース/ドレン領域27で耐火性金属と反応させて耐火性金属シリサイドを形成し、その後未反応耐火性金属を除去する。
請求項（抜粋）：
集積回路を形成するのに使用するシリコン基板の2つの間隔をおいた領域に耐火性金属シリサイド層を有する集積回路を形成する方法であって:誘電性材料層を前記シリコン基板上に形成し;ポリシリコン層を前記誘電性材料層上に形成し;耐火性金属層を前記ポリシリコン上に形成し;本質的に非反射性の材料の層を前記耐火性金属層上に形成し;前記ポリシリコン、前記耐火性金属及び前記非反射性材料の層を型取ってつくり;前記型取ってつくった層は前記ポリシリコンの露出した側壁を有し;前記集積回路を加熱して耐火性金属とポリシリコンの型取ってつくった層を反応させて、前記耐火性金属と前記ポリシリコンとが接触している場所で耐火性金属シリサイドを形成し;誘電性材料層を前記ポリシリコンの露出した側壁に形成し;前記誘電性材料をポリシリコンの側壁上に保持しつつ、前記基板の上層の前記誘電性材料の一部を除去してシリコン基板面の一部を露出させ;耐火性金属シリサイドを前記誘電性材料を除去したところで露出したシリコン基板の一部に形成する;各工程からなる前記方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
, H01L 27/06
, H01L 29/784
H01L 21/88 M
, H01L 27/06 102 E
, H01L 29/78 301 S
