特許

J-GLOBAL ID：200903039102288660

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 松原 直輝 ,  井上 恭典 ,  西村 英孝
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-133463
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330239
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 信頼性に優れた半導体装置を提供すること。【解決手段】 絶縁膜3上に形成された金属配線2間を含む基板の表面に有機SOG膜4を形成し、レジストパターン5をマスクとして有機SOG4にホウ素イオンを注入する。こうすることにより、有機SOG膜4が改質SOG膜6となって、その部分の機械的強度が高くなる上に、不純物を導入した部分のエッチングレートが他の部分と異なるようになり、選択的なエッチングが可能となる。そして、レジストパターン5を除去した後、有機SOG膜4(改質SOG膜)を、不純物を導入した個所のエッチングレートがそれ以外の個所のエッチングレートよりも小さい条件でエッチングすることにより、有機SOG膜4のみが選択的に除去され、配線3間に改質SOG膜6からなるダミー配線7が形成される。

請求項（抜粋）：

配線間に、不純物が導入された第1の絶縁膜からなるダミー配線を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 V ,  H01L 21/88 Z