特許

J-GLOBAL ID：200903039103752182

洗浄液および半導体装置の製造方法

発明者： 小糸 達也 ,  中村 彰信 ,  平野 啓二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-118711
公開番号（公開出願番号）：特開2003-313594
出願日： 2002年04月22日
公開日（公表日）： 2003年11月06日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 低抵抗金属膜および低誘電率膜の溶解および表面の変質を防止しつつレジスト、エッチング残渣、アッシング残渣、パーティクルを効果的に除去できる洗浄液および方法を提供すること。【解決手段】 低抵抗金属膜5、低誘電率膜7を成膜した後、レジスト9を用いてドライエッチングし、パターニングする。次いでフッ化物イオンを含有する洗浄液を用いてエッチング残渣11を除去する。フッ化物イオンを含有する洗浄液としては、フッ化物イオン濃度が0.001重量%以上1重量%以下、pHが2以上7以下、酸化還元電位が銀/塩化銀電極基準で-500mV以上300mV以下の水溶液を用いる。

請求項（抜粋）：

半導体装置製造方法におけるドライエッチング工程後に行われる洗浄工程に用いるフッ化物イオンを含有する水溶液からなる洗浄液であって、前記洗浄液のフッ化物イオン濃度が0.001重量%以上1重量%以下とし、pHを2以上7以下としたこと、を特徴とする洗浄液。

IPC (10件)：

C11D 7/10 ,  C11D 7/06 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/50 ,  C23G 1/10 ,  C23G 1/12 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304

FI (10件)：

C11D 7/10 ,  C11D 7/06 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/50 ,  C23G 1/10 ,  C23G 1/12 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/30 572 B

Fターム (34件)：

2H096AA25 ,  2H096HA23 ,  2H096HA30 ,  2H096LA01 ,  2H096LA03 ,  4H003DA15 ,  4H003DB01 ,  4H003EA05 ,  4H003EA23 ,  4H003EB19 ,  4H003ED02 ,  4H003EE02 ,  4H003FA15 ,  4K053PA01 ,  4K053PA06 ,  4K053PA09 ,  4K053PA10 ,  4K053PA17 ,  4K053QA07 ,  4K053RA05 ,  4K053RA11 ,  4K053RA17 ,  4K053RA25 ,  4K053RA40 ,  4K053RA42 ,  4K053RA45 ,  4K053RA52 ,  4K053RA69 ,  4K053SA07 ,  4K053XA04 ,  4K053XA09 ,  4K053YA01 ,  4K053YA03 ,  5F046MA02