特許

J-GLOBAL ID：200903039104655334

弾性表面波装置及びその製造方法

発明者： 多田 剛 ,  疋田 光孝 ,  浅井 健吾 ,  崎山 和之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-304944
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162256
出願日： 1993年12月06日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】 Al薄膜櫛形電極の膜厚が15nm以下の場合でも電極の断線のない弾性表面波装置およびその製造方法を提供する。【構成】 圧電基板上に非酸素雰囲気下でAl薄膜を形成した後、Al薄膜上にこの膜が酸素に曝されるを防ぐ役目を果たす金属膜を非酸素雰囲気下で形成する。また、Al薄膜櫛形電極膜厚が15nm以下で比抵抗16×10-8Ω-m以下の弾性表面波装置となす。【効果】 GHz帯通信用高周波弾性表面波装置の実現が可能となる。

請求項（抜粋）：

圧電基板と、圧電基板上に形成されたAl薄膜櫛形電極を有する弾性表面波装置において、上記Al薄膜櫛形電極の膜厚は15nm以下であることを特徴とする弾性表面波装置。

IPC (2件)：

H03H 3/08 ,  H03H 9/145