特許
J-GLOBAL ID：200903039105574699
半導体光素子および光電子集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-040145
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249834
出願日： 1994年03月10日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 新しいOEIC用のInP:Fe埋め込み構造を有する半導体光素子および光電子集積回路を提供する。【構成】 n型InP基板3上にnクラッド4、活性層5、pクラッド6およびp型InGaAsPコンタクト層7を順次積層して形成された半導体レーザのメサ構造1は、半絶縁層(高抵抗層)のInP:Fe2で埋め込まれているが、このInP:Fe2の層中のレーザの活性層5に接する位置に、価電子帯端のエネルギ準位がInPの価電子帯端のエネルギ準位より低エネルギにある半導体層10または価電子帯端のエネルギ準位がInPの価電子帯端のエネルギ準位より高エネルギにある半導体層11が挿入されている。
請求項（抜粋）：
InP基板上に形成された半導体レーザを当該半導体レーザの活性層より深い位置までメサ構造化しかつ当該メサ構造の周囲が鉄をドーピングした高抵抗InPで埋め込まれている半導体光素子において、前記高抵抗InP層中の、前記活性層と略同じ高さでかつ該活性層に接する位置あるいは該活性層に近い位置に、価電子帯端のエネルギ準位がInPの価電子帯端のエネルギ準位よりも低い半導体層を挿入したことを特徴とする半導体光素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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