特許

J-GLOBAL ID：200903039108903383

半導体装置の製造方法

発明者： 佐次田 直也 ,  松浦 克好 ,  堀井 義正 ,  倉澤 正樹 ,  高井 一章
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-316894
公開番号（公開出願番号）：特開2004-153031
出願日： 2002年10月30日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】キャパシタを有する半導体装置の製造方法に関し、キャパシタ下部電極を構成する導電膜の膜質を改善して、キャパシタ下部電極の上に形成される誘電体膜の特性を良好にすること。【解決手段】半導体基板1の上方に絶縁膜10を形成する工程と、水素と窒素が結合した分子構造を有するガスのプラズマを励起して絶縁膜10に照射する工程と、絶縁膜10の上に自己配向性を有する物質からなる自己配向層11を形成する工程と、自己配向層11の上に自己配向性を有する導電物質からなる第1の導電膜12を形成する工程とを含む。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体基板の上方に絶縁膜を形成する工程と、 水素と窒素が結合した分子構造を有するガスのプラズマを励起して前記絶縁膜に照射する工程と、 前記絶縁膜の上に自己配向性を有する物質からなる自己配向層を形成する工程と、 前記自己配向層の上に自己配向性を有する導電物質からなる第1の導電膜を形成する工程と を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L27/105 ,  C23C16/40 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

FI (3件)：

H01L27/10 444B ,  C23C16/40 ,  H01L27/10 621Z

Fターム (34件)：

4K030AA11 ,  4K030BA42 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F083AD21 ,  5F083FR02 ,  5F083GA27 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA33 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083NA02 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07 ,  5F083PR09 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40