特許

J-GLOBAL ID：200903039112057675

絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (1件)： 加藤 恭介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-225605
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070285
出願日： 1984年05月18日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課 題】 ソース領域およびドレイン領域の結晶化を助長せしめる際に、絶縁基板の全域を同時に光アニールできると共に、スイッチング特性が良く、高い周波数に使用できる絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法。【解決手段】 絶縁基板上に酸素、炭素、または窒素が5×1018cm-3以下である非単結晶半導体層を形成し、当該非単結晶半導体層におけるチャネル形成領域を除いた全領域に不純物を添加すると共に、この不純物が添加された領域を長さ10cm以上の線状の紫外光を一端から他端に向けて5cm/分ないし50cm/分の走査速度で走査するように照射して、非単結晶半導体層のアモルファス構造を多結晶構造にする。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に絶縁ゲート型電界効果半導体装置を作製する方法であって、酸素、炭素、または窒素が5×1018cm-3以下であるアモルファス構造を含む非単結晶半導体層を形成する工程と、前記非単結晶半導体層に密接するゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜に密接するチャネル形成領域と整合する位置にゲート電極を形成する工程と、前記チャネル形成領域を除いた非単結晶半導体層に不純物を添加する工程と、長さ10cm以上の線状の紫外光を基板の一端から他端へ5cm/分ないし50cm/分の走査速度で走査する工程とを含む半導体装置の作製方法において、前記走査する工程で、非単結晶半導体層のアモルファス構造が多結晶構造になることを特徴とする絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/26

FI (4件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/26 L ,  H01L 29/78 618 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-075670
  
• 特開昭58-002073
  
• 特開昭56-108231
  
• 特開昭59-035423