特許
J-GLOBAL ID：200903039112245056
半導体装置および半導体装置の製造方法ならびに半導体装置の実装方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-320619
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134641
出願日： 2000年10月20日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：
【要約】【課題】 薄化された半導体素子の取り扱いが容易で実装後の信頼性に優れた半導体装置および半導体装置の製造方法ならびに半導体装置の実装方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体素子1’の電極形成面の裏面にハンドリング用のバンパ部材4’を接着材5により接合して半導体装置7を構成する。バンパ部材4’は半導体素子1’のサイズよりも大きくかつ半導体素子1’の中央部のみと局部的に接合された構造とする。これにより、半導体装置7のハンドリングを容易にするとともに、実装後の基板11の変形に半導体素子1’を追従変形させることができ、ヒートサイクルにおける熱応力を有効に緩和することができる。
請求項（抜粋）：
外部接続用の電極が形成された電極形成面を有する半導体素子と、この半導体素子のサイズよりも大きく半導体素子の前記電極形成面の裏面の中央部のみと局部的に接着材により接合されたハンドリング用の保持部とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12
, H01L 21/60 311
H01L 21/60 311 Q
, H01L 23/12 F
