特許

J-GLOBAL ID：200903039116112654

水素マイクロプリント法

発明者： 長尾 彰英
出願人/特許権者： JFEスチール株式会社
代理人 (1件)： 中濱 泰光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-076258
公開番号（公開出願番号）：特開2006-258595
出願日： 2005年03月17日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【課題】本発明は、0.05mass ppm以下の極微量の水素も対象とすることが可能な水素マイクロプリント法を提供する。【解決手段】材料の表面に、水素原子の化学吸着エネルギーの大きい金属めっき、パラジウムめっきまたはパラジウム-ニッケルめっきを施した後、その上に臭化銀を密着させ、生成する銀をSEMなどで観察して、水素放出個所を可視化したり、その量から、材料より放出される水素量を測定する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

材料の表面に、パラジウムめっきを施した後、その上に臭化銀を密着させ、生成する銀の量から、材料より放出される水素量を測定することを特徴とする水素マイクロプリント法。

IPC (4件)：

G01N 31/00 ,  G01N 21/77 ,  G01N 31/22 ,  G01N 33/20

FI (4件)：

G01N31/00 C ,  G01N21/77 C ,  G01N31/22 122 ,  G01N33/20 L

Fターム (40件)：

2G042AA01 ,  2G042AA05 ,  2G042BA04 ,  2G042CA03 ,  2G042CB06 ,  2G042DA03 ,  2G042DA08 ,  2G042EA20 ,  2G042FA03 ,  2G042FA04 ,  2G042FA05 ,  2G042FA07 ,  2G042FA11 ,  2G042FA19 ,  2G042FA20 ,  2G042FB04 ,  2G042GA01 ,  2G042GA03 ,  2G042HA07 ,  2G054AA04 ,  2G054BA10 ,  2G054BB06 ,  2G054CA04 ,  2G054CB10 ,  2G054CE01 ,  2G054CE08 ,  2G054CE10 ,  2G054EA06 ,  2G054FB07 ,  2G054GA03 ,  2G054GB04 ,  2G054JA02 ,  2G055AA03 ,  2G055AA05 ,  2G055BA07 ,  2G055BA12 ,  2G055CA23 ,  2G055EA06 ,  2G055FA02 ,  2G055FA09

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許第3545292号公報
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 腐食を制御した水素マイクロプリント法の開発