特許

J-GLOBAL ID：200903039118362313

半導体装置の製造方法

発明者： 渋谷 司 ,  諸沢 成浩
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-002717
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200120
出願日： 1997年01月10日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 レーザーアニールによって得られるポリSi膜は表面性が悪いため、表面研磨によって平坦性を向上させ、平坦化したポリSi膜をチャンネルに用いることで優れたTFT特性とキャリア注入のない信頼性の優れた半導体装置を得る。【解決手段】 レーザーアニールによって得られたポリSi膜を表面研磨処理することで、膜厚を30nm〜50nmにし、ポリSi膜表面の平均面粗さ(Ra)を1nm以下にする。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に形成したポリSi膜をチャネルとして用いる半導体装置の製造方法において、前記絶縁性基板上にアモルファスSi膜を100nm以下に形成する工程と、前記アモルファスSi膜をレーザーアニールによって多結晶化してポリSi膜とする工程と、前記ポリSi膜の表面凹凸を研磨処理により低減する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/304 321

FI (5件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 29/78 618 D ,  H01L 29/78 627 Z