単結晶グラファイト膜の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-229947
公開番号（公開出願番号）：特開2008-050228
出願日： 2006年08月26日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：

【課題】簡易な方法により十〜数十nmの厚さのグラフェン積層体を得る。【解決手段】図1の単結晶グラファイト膜生成装置100は石英管から成るCVD反応容器1を水平に固定し、キャリアガスとしてアルゴン(Ar)を左側口1Lから導入し、右側口1Rから排出するものである。CVD反応容器1の中央よりも左側に第1の領域10を設け、右側に第2の領域20を設けた。各々独立した加熱装置15及び25により所定温度に保つ。第1の領域10にはショウノウ(camphor)を0.1〜1グラム、第2の領域20には、一辺2cmの正方形の3枚のニッケル(Ni)板21を配置させた。第1の領域を100°Cまで加熱してショウノウ(camphor)を蒸気化させて、700〜900°Cに保った第2の領域のニッケル(Ni)板21上にCVDによりグラファイト膜を形成した。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭素源の熱分解により、単結晶グラファイト膜を製造する方法であって、第1の領域に配置された沸点又は昇華点が100°C以上の有機化合物を炭素源とし、当該第1の領域を加熱して前記有機化合物を蒸気化し、不活性ガスをキャリアガスとして加熱された第2の領域に前記有機化合物蒸気を導き、当該加熱された第2の領域において、前記有機化合物を基板上で熱分解することでグラファイト膜を得るものであり、前記有機化合物は、分子中に芳香環又は共役π結合を有さず、歪を有する炭素環を有することを特徴とする単結晶グラファイト膜の製造方法。

IPC (2件)：

C01B 31/04 , C23C 16/26

FI (2件)：

C01B31/04 101Z , C23C16/26

Fターム (31件)：

4G146AA02 , 4G146AB07 , 4G146AC01A , 4G146AC01B , 4G146AC11B , 4G146AC16B , 4G146AC19B , 4G146AD03 , 4G146AD28 , 4G146BA11 , 4G146BC09 , 4G146BC23 , 4G146BC33B , 4G146BC43 , 4G146BC44 , 4G146BC46 , 4G146DA12 , 4G146DA26 , 4G146DA29 , 4G146DA30 , 4G146DA37 , 4G146DA43 , 4K030AA09 , 4K030AA16 , 4K030BA27 , 4K030BB02 , 4K030CA02 , 4K030CA17 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030LA11

引用特許：

審査官引用 (6件)

縮れ状炭素繊維とその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-245101 出願人：昭和電工株式会社
硬質炭素膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-350707 出願人：ソニー株式会社
特開平2-179878

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