特許
J-GLOBAL ID：200903039121026731
真空蒸着装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-266518
公開番号（公開出願番号）：特開平6-092786
出願日： 1992年09月09日
公開日（公表日）： 1994年04月05日
要約：
【要約】【目的】 ホットウォール型エピタキシャル成長装置等の真空蒸着装置において、成長薄膜の品質を向上させる。【構成】 真空チャンバ10内において、支持台11上にホットウォール管18を配置すると共に、管18内に石英等からなるソース管12を取囲むように上部ランプヒータ26B、中部ランプヒータ26C、下部ランプヒータ26Dを設ける。ソース管12の開口端近傍には、基板ホルダ21に保持された被処理基板20を配置し、この基板20の上方には、ランプヒータ26Aを配置する。ソース管12の上部に設けたランプヒータ26Bは、赤外光と共に可視光を輻射するので、基板20の成長面では、高いエネルギーを持った輻射光照射により弱い結合の飛来原子が排除され、強い結合の飛来原子を主体に結晶性の良い薄膜が形成される。
請求項（抜粋）：
(a)真空に排気される真空チャンバと、(b)この真空チャンバ内に開口端を上方に向けて配置されるソース管であって、該開口端から下方に所定の案内区間を隔てた個所に蒸着用のソース物質を収容する収容部を有するものと、(c)前記真空チャンバ内で前記ソース管の開口端近傍に被処理基板を保持する保持手段と、(d)前記被処理基板を加熱するための第1の加熱手段と、(e)前記ソース管の案内区間を加熱するための第2の加熱手段と、(f)前記ソース物質を蒸発させるべく加熱するための第3の加熱手段とをそなえた真空蒸着装置において、前記第1乃至第3の加熱手段のうち少なくとも第2の加熱手段を可視光を輻射するランプヒータで構成すると共に、該ランプヒータの輻射光を前記被処理基板の蒸着面に照射する構成にしたことを特徴とする真空蒸着装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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