特許
J-GLOBAL ID：200903039122912050
半導体歪ゲージ及び半導体圧力センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石川 泰男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-114197
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316495
出願日： 1995年05月12日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 半導体圧力センサの定格圧力時のオフセット電圧およびオフセット電圧の温度誤差を小さく、入力インピーダンスを高くする。【構成】 半導体歪ゲージの抵抗パターンは、半導体単結晶により一体に形成されているので、半導体圧力センサとしてブリッジに接続する際の配線抵抗等が原理的に発生せず、オフセット電圧およびその温度係数を小さくできる。また抵抗パターンは略環状に形成されており、インピーダンスを高くすることが可能となる。さらに第1電極は、抵抗パターンがほぼ対称形に分割されるように第1直線を前記抵抗パターン上に仮定し、抵抗パターン上、かつ、第1直線上に設けられ、第2電極は、抵抗パターン上、かつ、第1直線と直交する第2直線上に設けられているので、歪を効率よく電圧変換し、高効率の半導体圧力センサを構成できる。
請求項（抜粋）：
測定用電圧が印加され、外部より与えられる歪に応じた検出電圧を出力する半導体歪ゲージにおいて、半導体単結晶により略環状に形成された抵抗パターンと、前記抵抗パターンがほぼ対称形に分割されるように第1直線を前記抵抗パターン上に仮定し、前記抵抗パターン上、かつ、前記第1直線上に設けられた1組の第1電極と、前記抵抗パターン上、かつ、前記第1直線と直交する第2直線上に設けられた1組の第2電極と、を備えたことを特徴とする半導体歪ゲージ。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01L 1/18
, G01L 9/04 101
H01L 29/84 B
, G01L 1/18
, G01L 9/04 101
