特許
J-GLOBAL ID：200903039136596763
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-252541
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098102
出願日： 1996年09月25日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】 フッ化酸化シリコンからなる絶縁膜を用いた半導体装置では、絶縁膜から脱離すフッ素によってこの上面に成膜した窒化チタンからなる密着層の組成が変化し、絶縁膜-密着層間に剥離が生じる。【解決手段】 配線13を埋め込む状態で基板11上にフッ化酸化シリコンからなる第1絶縁膜14aを成膜する。第1絶縁膜14a上にこの第1絶縁膜14aよりもフッ素の含有量が少ない第2絶縁膜14bを成膜する。第1絶縁膜14aと第2絶縁膜14bとに、配線13にまで達するコンタクトホール15を形成する。コンタクトホール15の内壁を覆う状態で第2絶縁膜14b上に窒化チタンからなる密着層16を成膜し、コンタクトホール15内を埋め込む状態で密着層16上にプラグ形成層17を成膜する。第2絶縁膜14b上の密着層16及びプラグ形成層17を除去し、コンタクトホール15内にプラグ17aを形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた配線を埋め込む状態で当該基板上に成膜された絶縁膜を備えた半導体装置において、前記絶縁膜は、基板上に設けられた配線を埋め込む状態で当該基板上に成膜されたフッ化酸化シリコン膜からなる第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に設けられた当該第1絶縁膜よりもフッ素の含有量が少ないフッ化酸化シリコンからなる第2絶縁膜とからなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3205
H01L 21/90 M
, H01L 21/88 K
