特許
J-GLOBAL ID：200903039140235449
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-087465
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302646
出願日： 1993年04月14日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】この発明は、ICチップの反りを低減させ、良好なインナーリードのボンディング状態を得る。【構成】ウエハ工程またはラッピング工程の後、大型ICチップ10におけるシリコン基板11の裏面上にバイ・メタルの金属材料を蒸着する。即ち、前記シリコン基板11の裏面上にチタン層12を蒸着し、このチタン層12の上にニッケル層13を蒸着し、このニッケル層13の上に金14を蒸着している。次に、前記大型ICチップ10にインナーリードボンディングを施している。従って、ICチップ10の反りを低減させることができ、良好なインナーリードのボンディング状態を得ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体チップと、前記半導体チップの裏面に形成されたバイ・メタルと、前記半導体チップの上にボンディングされたインナーリードと、を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/28 301
