発光ダイオードアレイチップの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小橋信淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-101653
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275738
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】最端発光部における発光出力低下を生じない発光ダイオードアレイを得る。【構成】基板10上にエピタキシャル層11を形成した後、絶縁膜12を設ける。絶縁膜12には、最端発光部近傍でチップ外周に向かった張出し部28,29が形成されている。この絶縁膜12を介してp型半導体領域からなる複数の発光部を形成する。【効果】最端発光部近傍のチップ端部26,27が絶縁膜12の張出し部28,29で覆われているため、チップ外周部に形成されるp型半導体領域と最端発光部との間の距離を確保することができる。そのため、最端発光部に注入された電流がチップ端部から基板に短絡することがなくなり、発光出力特性の低下が防止される。

請求項（抜粋）：

チップ端面方向の最端発光部近傍でチップ外側に向かった張出し部をもつ絶縁膜を化合物半導体からなるn型基板上に形成し、次いでp型半導体領域からなる複数の発光部を形成することを特徴とする発光ダイオードアレイチップの製造方法。

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