特許

J-GLOBAL ID：200903039151338622

半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置

発明者： 池田 利喜夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-032650
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227871
出願日： 1995年02月21日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】 塗布工程における2以上の塗布材料や現像工程における現像液と純水のように複数の物質を用いる半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置において、複数の物質を悪影響なく廃棄する。【構成】 複数の物質を基板上に用い、各物質の除去廃液を収集する場合、例えば2重以上の構造にしたカップ(内側カップ4及び外側カップ5)内に基板(ウェハー)1を配置することにより、例えばレジスト廃液及びトップコート材料廃液を各々別系統(別ライン)にして廃棄する構成として、各廃液を分離して収集する。

請求項（抜粋）：

複数の物質を基板上に用い、各物質の除去廃液を収集する工程を有する半導体装置の製造方法において、各廃液を分離して収集する構成としたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  B01J 19/00

FI (2件)：

H01L 21/304 341 Z ,  B01J 19/00 K