特許

J-GLOBAL ID：200903039151475298

枚葉式エッチャーによるシリコン窒化膜のエッチング方法

発明者： 森 松倫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-049079
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251399
出願日： 1992年03月06日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】半導体基板の枚葉式エッチャーにおいて、シリコン窒化膜と下地酸化膜との選択比を向上させ、かつエッチング均一性を向上させる。【構成】常圧以下の真空中にてSF6 とCHF3 と不活性ガス(例えばHe)を用いてプラズマを発生させシリコン窒化膜をエッチングする。

請求項（抜粋）：

パターンニングされたレジスト膜をマスクにし、SF6 ガスと不活性ガスとCHF3 ガスを使用して常圧以下の真空中でプラズマを発生させ、シリコン窒化膜を垂直にエッチングする事を特徴とする枚葉式エッチャーによるシリコン窒化膜のエッチング方法。