半導体装置の検査方法及び検査装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-335680
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156134
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】検査の所要時間が短く信頼性も高い、しかも欠陥検査装置を用いない簡易な構成の、半導体装置の検査方法及び検査装置を得る。【解決手段】半導体装置の検査装置は、ウェハステージ2と、ステージ駆動部3と、荷電粒子ビーム照射部4と、電子光学系11と、二次電子検出部5と、増幅器7と、二次電子強度比較部8と、二次電子強度比較部8の出力に接続されたデータベース9と、データベース9の出力に接続されたPC10と、データベース9の出力及びPC10の出力にそれぞれ接続され、自身の出力がステージ駆動部3、荷電粒子ビーム照射部4、及び荷電粒子ビーム制御部12にそれぞれ接続された主制御部6とを備えている。データベース9には、コンタクトホール16の開口不良が発生する可能性の高い、複数の半導体ウェハ1における各m個の検査領域15に関する検査結果及び検査アドレスが蓄積されている。

請求項（抜粋）：

複数のホールが形成された半導体ウェハをステージ上に載置し、前記半導体ウェハのウェハ面を複数の領域に区画して得られる小領域を検査領域単位として、荷電粒子照射部から前記検査領域に荷電粒子を照射し、前記荷電粒子の照射により得られる二次電子像を観察することにより、前記小領域内における前記ホールの開口不良の発生の有無を検査する半導体装置の検査方法であって、(a)前記ウェハ面内における他の前記小領域に比べて前記開口不良が発生しやすい特定小領域に関する位置データを制御部に入力する工程と、(b)前記荷電粒子が前記特定小領域に照射されるように、前記制御部が前記位置データに基づいて前記荷電粒子照射部と前記ステージとを相対的に移動し、前記特定小領域について前記開口不良の発生の有無を検査する工程とを備える、半導体装置の検査方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 , G01B 15/00 , G01N 23/225 , H01J 37/20

FI (4件)：

H01L 21/66 J , G01B 15/00 B , G01N 23/225 , H01J 37/20 D

Fターム (41件)：

2F067AA54 , 2F067AA62 , 2F067BB04 , 2F067CC17 , 2F067EE10 , 2F067GG08 , 2F067HH06 , 2F067JJ05 , 2F067KK04 , 2F067PP12 , 2F067RR24 , 2F067RR41 , 2G001AA03 , 2G001BA07 , 2G001CA03 , 2G001FA01 , 2G001FA06 , 2G001GA01 , 2G001GA04 , 2G001GA06 , 2G001HA01 , 2G001HA07 , 2G001HA13 , 2G001JA11 , 2G001JA13 , 2G001JA16 , 2G001KA03 , 2G001LA11 , 2G001MA05 , 2G001PA11 , 4M106AA01 , 4M106BA02 , 4M106BA20 , 4M106CA70 , 4M106DH24 , 4M106DH60 , 4M106DJ02 , 4M106DJ20 , 4M106DJ21 , 5C001AA03 , 5C001CC04

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