特許
J-GLOBAL ID：200903039155526318
膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
白井 重隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-177703
公開番号（公開出願番号）：特開2001-049179
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2001年02月20日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、誘電率特性、吸水性特性に優れ、塗膜が均一で、さらにCMP耐性に優れた低密度化膜が得られ、しかも貯蔵安定性にも優れる膜形成用組成物を提供すること。【解決手段】 R2 R3 Si(OR1 )2 、R2 Si(OR1 )3 およびSi(OR1 )4 の群から選ばれた少なくとも1種と、R2 s (R1 O)3-s SiRSi(OR1)3-t R2 t (R1 〜R3 は同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基、Rは2価の有機基を示し、sおよびtは0〜1の整数である)、とを含有するシラン化合物、その加水分解物および/またはその縮合物、(B)一般式PEOn-R′(ただし、PEOはポリエチレンオキサイド単位、R′は炭素数5〜30の1価の有機基、nは5〜50の整数を示す)で表されるポリエーテル、ならびに(C)アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種の溶媒、を含有する膜形成用組成物。
請求項（抜粋）：
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物、(A-2)下記一般式(2)で表される化合物および(A-3)下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種と、(A-4)下記一般式(4)で表される化合物、とを含有するシラン化合物、その加水分解物および/またはその縮合物、(R1 〜R3 は同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基、Rは2価の有機基を示し、sおよびtは0〜1の整数である。)(B)一般式PEOn-R′(ただし、PEOはポリエチレンオキサイド単位、R′は炭素数5〜30の1価の有機基、nは5〜50の整数を示す)で表されるポリエーテル、ならびに(C)アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種の溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (4件)：
C09D183/04
, C09D171/02
, H01L 21/312
, H01L 21/316
C09D183/04
, C09D171/02
, H01L 21/312 C
, H01L 21/316 G
4J038DF022
, 4J038DL021
, 4J038DL031
, 4J038JC32
, 4J038KA06
, 4J038NA21
, 4J038PA19
, 4J038PB09
, 5F058AA04
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH01
, 5F058AH02
, 5F058BA07
, 5F058BA20
, 5F058BC05
, 5F058BF46
, 5F058BH01
, 5F058BJ01
, 5F058BJ02
