特許
J-GLOBAL ID：200903039158597127
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-159423
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349339
出願日： 1999年06月07日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 コンタクト抵抗を小さくするとともに発光の取り出し効率を向上させた半導体発光素子にかかるものである。【解決手段】 本発明は半導体基板11の上面に発光層15を形成し、この発光層15の上面にオーミックコンタクト層18を形成し、このオーミックコンタクト層18の上面に単金属層または合金層35a、35b...を点在させ、この点在させた単金属層または合金層35a、35b...の上面に酸化物透明導電膜20を形成したものである。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上面に発光層を形成し、この発光層の上面にオーミックコンタクト層を形成し、このオーミックコンタクト層の上面に単金属層または合金層を点在させ、この点在させた単金属層または合金層の上面に酸化物透明導電膜を形成し、たことを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (11件)：
5F041AA03
, 5F041AA14
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA39
, 5F041CA73
, 5F041CA83
, 5F041CA85
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA98
