特許

J-GLOBAL ID：200903039158934824

読取り同時書込み操作のためのフラッシュ・メモリ分割

発明者： ヘイゼン,ピーター・ケイ ,  アレキス,ランジート ,  ラーセン,ロバート・イー ,  ブラウン,チャールズ・ダブリュ ,  タルレジャ,サンジェイ
出願人/特許権者： インテル・コーポレーション
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-527946
公開番号（公開出願番号）：特表2002-501276
出願日： 1998年11月24日
公開日（公表日）： 2002年01月15日
要約：

【要約】フラッシュ・メモリ・デバイス(20)を分割するための方法および装置が提供される。フラッシュ・メモリ・デバイスは、複数のパーティション(210、215、220、230)を含み、各パーティションは、他のパーティションと同時に読み取られ、書き込まれ、あるいは消去されることが可能である。

請求項（抜粋）：

フラッシュ・メモリ・デバイスの複数のパーティションを含み、各パーティションが、他のパーティションと同時に書き込まれ、読み取られ、あるいは消去されることができるフラッシュ・メモリ・デバイス。

Fターム (7件)：

5B025AD01 ,  5B025AD02 ,  5B025AD04 ,  5B025AD06 ,  5B025AD08 ,  5B025AD10 ,  5B025AE00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 不揮発性、特に、フラッシュEEPROM記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-112859   出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル.
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-073452   出願人：三菱電機株式会社
• 同時読出し/書込み機能付きフローティングゲート非揮発型メモリ及びこれを備えたマイクロプロセッサ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-222256   出願人：インテル・コーポレーション