特許
J-GLOBAL ID：200903039163798289
絶縁薄膜の形成方法および形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-178678
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021049
出願日： 1992年07月06日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】本発明は、高品質の絶縁薄膜形成を信頼性高く実現し得る絶縁薄膜の形成方法および形成装置を提供することを目的とする。【構成】本発明は、半導体基板14上に形成される絶縁薄膜の原料となる酸素もしくは窒素を含むガスの導入系4を備えた前記絶縁薄膜を形成する処理室1と、前記処理室1の雰囲気に所定のガスを供給すること、および該雰囲気を所定の圧力に排気することを制御する雰囲気制御手段と、前記絶縁薄膜の形成時と形成後に前記半導体基板14を所定の温度に加熱する加熱部3と、前記雰囲気制御手段を備え、前記処理室1に前記半導体基板14を外気から遮断して、搬送し設置する基板交換室7とを具備して構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁薄膜層を有する構造の素子の、酸素および窒素を含む絶縁薄膜の形成方法において、所定のガスで充満された雰囲気内に前記半導体基板を設置する第1工程と、前記雰囲気を所定のガスで約100ppm以下の所定の水分濃度に保持し、前記半導体基板を所定の温度に加熱する第2工程と、前記雰囲気を前記絶縁薄膜の原料となる酸素もしくは窒素を含むガスで、約100ppm以下の所定の水分濃度に保持し、前記絶縁薄膜を形成する第3工程と、前記第3工程で前記絶縁薄膜を形成した後、前記雰囲気を所定のガスで充満させ、該雰囲気中で前記半導体基板の加熱温度よりも低い所定の温度まで該半導体基板を冷却する第4工程とで構成されることを特徴とする絶縁薄膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318
, C23C 16/34
, C23C 16/40
