特許

J-GLOBAL ID：200903039166634660

半導体装置の製造方法

発明者： 吉田 道秀 ,  山田 雄一郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 村山 光威
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-355353
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165311
出願日： 2004年12月08日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】基板片面モールド工程において、内部ボイドの発生を抑止するために、エアベント部の金型の形状を凸状に変え、封止工程におけるエアの抜けを良くし、エアの抜けがよくなったために発生するエアベントバリを、基板表面に凹部をつけることにより所定の位置で止め、内部ボイドの発生の低減を実現することにより、信頼性を向上させる。【解決手段】モールド金型の上金型1に設けられたエアベント10を凸形状にすることによって、基板3の弾性によるエア抜けの問題を解決する。さらに、前記のようにエアの抜けがよくなったために発生するエアベントバリ9を、エアベント10の直行する方向にエアベント10の幅を超えて基板3に凹部4を設けることにより、エアベントバリを所定の位置で止めるようにして、内部ボイドの問題を解決する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

モールド金型を用い、半導体チップが電気的に接続された基板をクランプして樹脂封止する工程を具備する半導体装置の製造方法において、 前記モールド金型のエアベントを凸形状にし、前記エアベントの直行する方向に前記エアベントの幅を超えて、前記基板に凹部を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/56 ,  B29C 45/34

FI (2件)：

H01L21/56 T ,  B29C45/34

Fターム (13件)：

4F202AH37 ,  4F202AM32 ,  4F202AM33 ,  4F202CA11 ,  4F202CB12 ,  4F202CB17 ,  4F202CB20 ,  4F202CP04 ,  4F202CP05 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061DA08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-368122   出願人：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社