特許

J-GLOBAL ID：200903039170389572

窒化アルミニウム基板と窒化アルミニウム配線基板の製造方法

発明者： 表 孝司 ,  肥田 勝春 ,  塚田 峰春
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-233769
公開番号（公開出願番号）：特開平7-089766
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月04日
要約：

【要約】【目的】 AlN基板とAlN多層回路基板の製造方法に関し、製造歩留りの向上を目的とする。【構成】 AlN基板についてはセッターとAlNグリーンシートの間、およびAlNグリーンシートと矯正用基板との間にWグリーンシートまたはWペーストよりなる緩衝材を介在させて焼成し、また、AlN多層回路基板については、焼成容器として Al2O3 容器を用い、W板をセッターに用いて焼成することを特徴として製造方法を構成する。

請求項（抜粋）：

グラファイトまたは窒化硼素容器の底部に置いたセッター上に脱脂処理の終わった窒化アルミニウムグリーンシートを位置決めした後、該グリーンシートの上に矯正用基板を設置し、不活性ガス雰囲気中で加熱して焼成する窒化アルミニウム基板の製造方法において、前記セッターと窒化アルミニウムグリーンシートの間、および窒化アルミニウムグリーンシートと矯正用基板との間にタングステングリーンシートまたはタングステンペーストよりなる緩衝材を介在させて焼成することを特徴とする窒化アルミニウム基板の製造方法。

IPC (3件)：

C04B 35/581 ,  C04B 35/64 ,  H05K 3/46

FI (3件)：

C04B 35/58 104 U ,  C04B 35/64 G ,  C04B 35/64 J