特許

J-GLOBAL ID：200903039171041405

磁気記録媒体

発明者： 二本 正昭 ,  稲葉 信幸 ,  山中 一助 ,  伊藤 研也 ,  本多 幸雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-141763
公開番号（公開出願番号）：特開平10-334444
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 高密度磁気記録に適する磁気記録媒体を提供する。【解決手段】 非磁性基板101上に少なくとも2層の下地膜102,103を介してhcp構造の磁性膜104を形成する。磁性膜はCoを主成分とし、少なくとも1種類の非磁性元素を含む合金からなる多結晶膜であり、多結晶の平均粒径が5nm以上15nm以下で、結晶粒界に少なくとも25at%の非磁性元素の偏析層を含む。磁性膜104に接する第1の下地膜103はhcp結晶構造を持つ非磁性もしくは磁化の大きさが100emu/cc以下の弱磁性膜であり、第2の下地膜102はbcc構造、NaCl型結晶構造のいずれかであり、第2下地膜の優先配向方位は<100>又は<211>である。

請求項（抜粋）：

非磁性基板と、前記非磁性基板上に設けられた少なくとも2層の下地膜と、前記少なくとも2層の下地膜上に設けられた六方最密充填構造を持つ磁性膜と、前記磁性膜上に設けられた保護膜とを有する磁気記録媒体において、前記磁性膜はCoを主成分とし、少なくとも1種類の非磁性元素を含む合金からなる多結晶膜であり、多結晶の平均粒径が5nm以上15nm以下でかつ結晶粒界に少なくとも25at%の非磁性元素の偏析層を含んでおり、前記少なくとも2層の下地膜のうち磁性膜に接する第1の下地膜は結晶構造が六方最密充填構造を持つ非磁性もしくは飽和磁化の大きさが100emu/cc以下の弱磁性膜であり、前記第1の下地膜と前記非磁性基板の間に形成される第2の磁性膜の構造は体心立方構造又はNaCl型結晶構造であり、前記第2下地膜の優先配向方位が<100>もしくは<211>であることを特徴とする磁気記録媒体。

IPC (2件)：

G11B 5/66 ,  H01F 10/12

FI (2件)：

G11B 5/66 ,  H01F 10/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-321919
  
• 特開平3-224120
  
• 特開平1-220217
  
• 特開平4-113508