特許

J-GLOBAL ID：200903039177907951

半導体製造装置および半導体装置の製造方法

発明者： 稲葉 豊 ,  若尾 和年
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 児玉 俊英 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-115932
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309075
出願日： 2002年04月18日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：

【要約】【課題】 ウェハ11上に供給される材料ガスの化学気相反応により成膜するCVD装置において、ウェハ11の中心から径方向に沿って変化する膜厚分布を、膜質を均一に保ちつつ、均一に制御可能にする。【解決手段】 多数のガス噴出穴13を備えて材料ガスをウェハ11上に供給するシャワーヘッド12を中心から径方向に沿って複数に分割し、各ブロック毎にガス流量を独立に制御することにより、材料ガスの径方向のガス濃度分布を制御可能にして、均一な膜厚で成膜する。

請求項（抜粋）：

処理室内に載置される被処理基板に対向する側に、多数のガス噴出穴を有して上記被処理基板表面に対し材料ガスを供給するシャワーヘッドを備えた半導体製造装置であって、上記シャワーヘッドを中心から径方向に沿って複数のブロックに分割し、該ブロック毎に上記ガス噴出穴からの噴出ガス流量を独立に制御可能としたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455

Fターム (12件)：

4K030CA04 ,  4K030EA05 ,  4K030JA03 ,  4K030JA05 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EF09