特許
J-GLOBAL ID:200903039178198520

パターン形成装置及びパターン製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大森 純一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-246734
公開番号(公開出願番号):特開2003-059804
出願日: 2001年08月15日
公開日(公表日): 2003年02月28日
要約:
【要約】【課題】 低廉で且つ高速、高精度のパターン描画をすることができるパターン形成装置及びパターン製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体の回路マスクパターンの描画においてGLV素子列8による0次回折光を、レチクル2にパターンを描画するための光線とすると共に、この光線とXYステージ3とを同期させて走査することによってレチクル2にパターンを描画することとしたので、ビーム描画の場合に比べ光量の増加に対しての線幅増加が少なく線幅制御が容易となると共に、高速度でのパターン描画を可能としている。
請求項(抜粋):
被加工物を載置するステージと、前記ステージに載置された前記被加工物にパターンを形成するための光線を導く手段と、前記光線の光路上に設けられた回折型線状空間光変調器と、前記光線を前記ステージに載置された前記被加工物上を走査させる走査手段とを具備することを特徴とするパターン形成装置。
IPC (6件):
H01L 21/027 ,  G02B 5/18 ,  G02B 26/08 ,  G02B 26/10 104 ,  G03F 7/22 ,  G03F 9/02
FI (7件):
G02B 5/18 ,  G02B 26/08 A ,  G02B 26/10 104 Z ,  G03F 7/22 H ,  G03F 9/02 H ,  H01L 21/30 515 D ,  H01L 21/30 518
Fターム (14件):
2H041AA12 ,  2H041AA23 ,  2H041AB14 ,  2H041AC06 ,  2H041AZ01 ,  2H041AZ05 ,  2H045AB01 ,  2H045BA02 ,  2H045DA31 ,  2H049AA06 ,  2H049AA55 ,  2H049AA61 ,  5F046BA05 ,  5F046CB01

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