特許
J-GLOBAL ID：200903039178330631
半導体製造装置およびその半導体製造装置を用いた半導体基板の加熱処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-098392
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291069
出願日： 1993年04月02日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【構成】 半導体基板11に導入した不純物を拡散させるための半導体製造装置にあって、第1の加熱手段13と第2の加熱手段15とを備える半導体製造装置および半導体基板の加熱処理方法。【効果】 半導体基板内部には結晶歪みは発生せず、したがって拡散層リーク電流は発生しない。この結果、半導体集積回路装置の特性が劣化するという問題点は発生しない。
請求項（抜粋）：
半導体基板に導入した不純物を拡散させるための半導体製造装置にあって、第1の加熱手段と第2の加熱手段とを備えることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/22
, H01L 21/26
, H01L 21/324
