特許
J-GLOBAL ID:200903039179879149

窒化アルミニウム質セラミックスおよび半導体製造用部材

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 細田 益稔 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-330633
公開番号(公開出願番号):特開2003-226580
出願日: 2002年11月14日
公開日(公表日): 2003年08月12日
要約:
【要約】【課題】窒化アルミニウム質セラミックスの体積抵抗率を上昇させること。【解決手段】窒化アルミニウムの格子定数のa軸長が3.1120オングストローム以上、3.1200オングストローム以下であり、c軸長が4.9810オングストローム以上、4.9900オングストローム以下である。窒化アルミニウム質セラミックスの室温での体積抵抗率が1×1014Ω・cm以上である。あいは、窒化アルミニウム質セラミックスの500°Cでの体積抵抗率が1×108Ω・cm以上であり、700°Cでの体積抵抗率が1×107Ω・cm以上である。
請求項(抜粋):
窒化アルミニウムの格子定数のa軸長が3.1120オングストローム以上、3.1200オングストローム以下であり、c軸長が4.9810オングストローム以上、4.9900オングストローム以下であり、室温での体積抵抗率が1×1014Ω・cm以上であることを特徴とする、窒化アルミニウム質セラミックス。
IPC (4件):
C04B 35/581 ,  H05B 3/10 ,  H05B 3/20 328 ,  H05B 3/74
FI (5件):
H05B 3/10 C ,  H05B 3/20 328 ,  H05B 3/74 ,  C04B 35/58 104 Z ,  C04B 35/58 104 Y
Fターム (20件):
3K034AA02 ,  3K034BA06 ,  3K034BA14 ,  3K034JA01 ,  3K092PP20 ,  3K092RF11 ,  3K092RF27 ,  3K092VV06 ,  3K092VV19 ,  4G001BA09 ,  4G001BA23 ,  4G001BA36 ,  4G001BB33 ,  4G001BB36 ,  4G001BB42 ,  4G001BC51 ,  4G001BC52 ,  4G001BD23 ,  4G001BD38 ,  4G001BE01
引用特許:
審査官引用 (4件)
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