スズドープ酸化インジウム膜の高抵抗化方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：東海裕作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-312940
公開番号（公開出願番号）：特開平6-135742
出願日： 1992年10月28日
公開日（公表日）： 1994年05月17日
要約：

【要約】【目的】均一性に優れたスズドープ酸化インジウム膜を得る成膜方法を提供する。【構成】Snドープ量をInに対して0.05〜2.0%で成膜する方法、又はSnドープ量をInに対して10〜40%で成膜する方法。更に、上記の成膜方法と酸素含有雰囲気にて200°C以上の温度で加熱処理する方法を併用した成膜方法。【効果】該方法により、200〜1000Ω/□の比較的高抵抗で、しかも均一性に優れたITO膜をより効率的に成膜することができる。

請求項（抜粋）：