珪素・炭化珪素セラミックスの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木下茂 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-210324
公開番号（公開出願番号）：特開2000-026177
出願日： 1998年07月09日
公開日（公表日）： 2000年01月25日
要約：

【要約】【課題】炭素粉末や多量の有機結合剤を配合することなく、しかも、Si含浸反応焼結時における該Siの浸透が充分に行われ、得られるセラミックス基材の組織が均質緻密で、強度、耐熱衝撃性に優れ、また組織内に残留未反応炭素の凝集部分が存在しないため、炭素の脱離に基づくダストの発生を回避することができる珪素・炭化珪素セラミックスの製造方法を提供する。【解決手段】原料炭化珪素に対し1.5乃至11重量%の結合剤を配合した混合物を成形し、得られた多孔質成形体を1500°C以上で仮焼し、引き続き若しくは冷却後、該仮焼多孔質成形体に、該成形体の炭化珪素粒子表面を分解してその表面に遊離炭素を生成させる遊離炭素生成化処理を施し、その後、該処理成形体に溶融珪素を含浸させる。

請求項（抜粋）：

原料炭化珪素に対し下記仮焼後の残炭率が0.005〜5.0重量%となるように1.5乃至11重量%の結合剤を配合した混合物を成形し、得られた多孔質成形体を1500°C以上で仮焼し、引き続き若しくは冷却後、該仮焼多孔質成形体に、該成形体の炭化珪素粒子表面を分解してその表面に遊離炭素を生成させる遊離炭素生成化処理を施し、その後、該処理成形体に溶融珪素を含浸させることを特徴とする珪素・炭化珪素セラミックスの製造方法。

IPC (2件)：

C04B 41/88 , C04B 35/565

FI (2件)：

C04B 41/88 U , C04B 35/56 101 X

Fターム (11件)：

4G001BA22 , 4G001BB22 , 4G001BB60 , 4G001BC17 , 4G001BC71 , 4G001BD04 , 4G001BD07 , 4G001BD14 , 4G001BD38 , 4G001BE11 , 4G001BE33

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体製造用炭化珪素焼結体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-006264 出願人：住友金属工業株式会社, 株式会社ブリヂストン
特開昭63-035452

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