特許
J-GLOBAL ID：200903039183257799

薄膜アルミニウム合金及び薄膜アルミニウム合金形成用スパッタリングターゲット

発明者：
萩原 淳一郎

萩原 淳一郎 について

, 
徳田 一朗

徳田 一朗 について


出願人/特許権者：
真空冶金株式会社

真空冶金株式会社 について


代理人 (1件)： 北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-263085
公開番号（公開出願番号）：特開2003-073810
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2003年03月12日
要約：
【要約】【課題】アニール処理温度にかかわらず、低い値の比抵抗と硬度とを維持しながらヒロックの発生が抑制される薄膜アルミニウム合金を提供する。【解決手段】25°C〜500°Cの温度範囲でアニール処理を行ったときのビッカース硬度が30Hv以下であると共に絶対値表示の膜応力が30kg/mm2以下であり、前記硬度と前記膜応力とが、前記アニール処理温度範囲に亘って所定の硬度範囲と膜応力範囲とに分布して、アニール処理温度に対してそれぞれ略一定であるような薄膜アルミニウム合金を得るため、0.5〜15atm%のAg、Cu、Mg、Znのうちの1種または2種以上と0.01〜5atm%のCo、Cr、Gd、Hf、Li、Mn、Mo、Nb、Nd、Ni、Pd、Pt、Ru、Sc、Sr、Ta、Ti、W、Y、Zrのうちの1種または2種以上と、残部としてAl及び不可避的不純物とから成る組成を有するスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により基板上に薄膜アルミニウム合金を成膜する。
請求項（抜粋）：
25°C〜500°Cの温度範囲でアニール処理を行ったときのビッカース硬度が30Hv以下であると共に絶対値表示の膜応力が30kg/mm2以下であり、前記硬度と前記膜応力とが、前記アニール処理温度範囲に亘って所定の硬度範囲と膜応力範囲とに分布して、アニール処理温度に対してそれぞれ略一定であることを特徴とする薄膜アルミニウム合金。
IPC (7件)：
C23C 14/14 ,  C22C 21/00 ,  C22C 21/18 ,  C23C 14/34 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301
FI (7件)：
C23C 14/14 B ,  C22C 21/00 A ,  C22C 21/18 ,  C23C 14/34 A ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 L
Fターム (27件)：
2H092HA01 ,  2H092HA11 ,  2H092KB04 ,  2H092KB13 ,  2H092MA05 ,  2H092MA12 ,  2H092MA35 ,  2H092NA15 ,  2H092NA19 ,  2H092NA25 ,  2H092NA28 ,  2H092NA29 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA23 ,  4K029BC07 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08 ,  4K029GA01 ,  4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104DD40 ,  4M104DD78 ,  4M104HH03 ,  4M104HH16
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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