特許
J-GLOBAL ID：200903039183633774
炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
成瀬 勝夫
, 中村 智廣
, 鳥野 正司
, 佐々木 一也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-169890
公開番号（公開出願番号）：特開2008-001532
出願日： 2006年06月20日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：
【課題】均一性に優れた低抵抗率炭化珪素単結晶基板を取り出せる炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶インゴットを提供する。【解決手段】種結晶上にバルク状の炭化珪素単結晶を結晶成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、結晶成長面の{0001}面からのオフセット角度が2°以上、15°以下である種結晶上に、体積抵抗率の平均値が0.0005Ωcm以上、0.050Ωcm以下である炭化珪素単結晶を成長する炭化珪素単結晶の製造方法、及び、この方法により製造される炭化珪素単結晶インゴット。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素単結晶インゴットの外周部から10mm幅の部分を除いて{0001}面ファセットが無く、且つ、該炭化珪素単結晶インゴットの外周部から10mm幅の部分を除いた部分の体積抵抗率の平均値(X)が0.0005Ωcm以上0.050Ωcm以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077AB06
, 4G077AB09
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077EB01
, 4G077ED02
, 4G077FG16
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077SA01
