特許
J-GLOBAL ID：200903039188051870
シリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-093618
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260449
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 簡便且つ迅速で安価な手法によりシリコン単結晶の結晶欠陥を評価する。【解決手段】 シリコン単結晶基板1表面の自然酸化膜2を除去する工程と、自然酸化膜2が除去されたシリコン単結晶基板1表面上に銅4を堆積させる工程と、表面に銅4が堆積したシリコン単結晶基板1をアルカリ性水溶液でエッチングする工程と、エッチングされたシリコン単結晶表面1を目視または光学顕微鏡により観察してシリコン単結晶基板1の結晶欠陥3を評価する。
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶基板表面の自然酸化膜を除去する工程と、自然酸化膜が除去された該シリコン単結晶基板表面上に銅を堆積させる工程と、表面に銅が堆積した該シリコン単結晶基板をアルカリ性水溶液でエッチングする工程と、エッチングされた該シリコン単結晶表面を目視または光学顕微鏡により観察する工程を有することを特徴とするシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 N
, G01N 21/88 F
