特許
J-GLOBAL ID：200903039188536483
ドライエツチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-212858
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036646
出願日： 1991年07月30日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】 化学反応性ガスプラズマを用いるドライエッチングにおいて、プラズマに影響を与えずに基板に到達する化学反応種濃度を制御する。【構成】 InP基板5を塩素による反応性イオンビームエッチングする際に、基板直上部に取り付けた低反応性ガス導入ノズルより化学反応性の低いNF3を基板に直接吹き付け、エッチャントを希釈する。吹き付けるNF3量によって基板近傍でのエッチャントの濃度を任意に制御することができる。
請求項（抜粋）：
化学反応性ガスプラズマを用いるドライエッチング方法において、基板及びエッチングに用いる化学反応性ガスに対する反応性が低いガスを直接基板に吹き付けて基板に達するエッチャント量を制御することを特徴とするドライエッチング方法。
引用特許：
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