特許
J-GLOBAL ID：200903039188918890
半導体基板の酸化方法及び酸化装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-037779
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226399
出願日： 1994年02月10日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】 水蒸気と不活性ガスとの混合雰囲気中で熱処理を行う半導体基板の酸化方法において、水蒸気の冷却による粒子の析出を防止して良好な酸化膜を形成する。【構成】 水素ガスと酸素ガスとを燃焼反応させて生成した水蒸気と、予め300°C〜1150°Cの範囲で加熱した不活性なガスとを混合してなる混合ガスの雰囲気内で半導体基板の熱処理を行う。これによって、水蒸気の不活性なガスに寄る冷却が防止され、燃焼反応の際に燃焼室を構成する石英が気化して水蒸気中に取り込まれた酸化シリコンの析出が防止され、粒子を含まない混合ガス中で半導体基板の熱処理が行われる。
請求項（抜粋）：
水素ガスと酸素ガスとを燃焼反応させて水蒸気を生成し、当該水蒸気と不活性なガスとを混合してなる混合ガスを生成し、当該混合ガスの雰囲気内で半導体基板の熱処理を行う半導体基板の酸化方法において、前記不活性なガスは、予め加熱されていることを特徴とする半導体基板の酸化方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/283
