半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-312557
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153572
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】リードフレームの耐電圧を高める。【解決手段】リードフレーム3の上主面とその上に搭載される素子を、一次封止樹脂41が封止している。リードフレーム3のヒートシンク51との間を結合する二次封止樹脂21は、パターン形状を有するリードフレーム3に付随する空隙を貫通して、リードフレーム3の上主面側に突出している。この突出部62には、一次封止樹脂41が密着している。空隙を挟んで隣接するリードフレーム3の部分の間の、一次封止樹脂41と二次封止樹脂21の界面に沿った沿面距離が突出部62によって拡大するので、それらの部分の間の耐電圧が向上する。

請求項（抜粋）：

第1および第2主面を有しパターン形状を有する板状であって、外方に突出する外部端子を周囲に有する電気良導性のリードフレームと、前記第1主面の上に固定されたパワー半導体素子と、前記第2主面との間に間隙をもって対向するように設けられた熱良導性のヒートシンクと、前記パワー半導体素子、前記リードフレーム、および前記ヒートシンクを封止する電気絶縁性の封止樹脂と、を備える半導体装置において、前記封止樹脂が、一次封止樹脂と、当該一次封止樹脂よりも熱伝導性に優れる二次封止樹脂とを有しており、前記二次封止樹脂は、前記第2主面に密着して前記リードフレームと前記ヒートシンクとの間の間隙を充填する部分と、当該部分に一体的に連結するとともに、前記パターン形状に付随する前記リードフレームの空隙を貫通して、前記第1主面の側へ壁状に突出する突出部と、を有しており、前記一次封止樹脂は、前記第1主面に密着し、かつ前記パワー半導体素子を埋め込むとともに、前記突出部に密着していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/29 , H01L 23/36 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (3件)：

H01L 23/36 A , H01L 23/36 Z , H01L 25/04 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭62-076659
特開昭61-292346
特開昭63-233554

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