特許

J-GLOBAL ID：200903039194850483

3次元量子閉じ込めを利用した半導体装置

発明者： 向井 剛輝 ,  大塚 信幸
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-222107
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088345
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】 比較的簡便な製造工程で作製できる量子箱構造を有する半導体装置を提供する。【構成】 単結晶を成長可能な半導体表面と、前記半導体表面の上に、ほぼ全面にエピタキシャル成長されたIII-V族化合物半導体からなる第1の領域、及び第1の領域とは構成元素の組成比が異なり、前記第1の領域の中に散点状に配置されたIII-V族化合物半導体からなる第2の領域とから構成され、前記第2の領域の無歪時の格子定数と前記半導体表面の格子定数とは異なり、その差は、前記第1の領域の無歪時の格子定数と前記半導体表面の格子定数との差よりも大きい第1の半導体層とを有する。

請求項（抜粋）：

単結晶を成長可能な半導体表面と、前記半導体表面の上に、ほぼ全面にエピタキシャル成長されたIII-V族化合物半導体からなる第1の領域、及び第1の領域とは構成元素の組成比が異なり、前記第1の領域の中に散点状に配置されたIII-V族化合物半導体からなる第2の領域とから構成され、前記第2の領域の無歪時の格子定数と前記半導体表面の格子定数とは異なり、その差は、前記第1の領域の無歪時の格子定数と前記半導体表面の格子定数との差よりも大きい第1の半導体層とを有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/04 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-002198
  
• 特開平3-265827