特許

J-GLOBAL ID：200903039200002422

分子線エピタキシャル結晶成長装置

発明者： 安東 幸司 ,  園田 琢二
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-148681
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326404
出願日： 1992年05月14日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 基板面方向に分布を有するエピタキシャル成長ができるエピタキシャル結晶成長装置を得ることを目的とする。【構成】 基板ホルダ2の前面に所定の形状を有する外周部シャッタ11を設け、必要に応じてこれを作動させて分子線5を遮蔽し、基板1に到達する分子線の分布を変化させることにより、基板1面方向に分布を有するエピタキシャル成長を行う。

請求項（抜粋）：

セルに収容した分子線原料を加熱して分子線を射出し、基板ホルダに保持された半導体基板表面に結晶成長を行なう分子線エピタキシャル結晶成長装置において、上記半導体基板に入射する分子線の一部を遮蔽する分子線遮蔽手段を設けたことを特徴とする分子線エピタキシャル結晶装置。

IPC (5件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/28 ,  C30B 23/02 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812