特許
J-GLOBAL ID：200903039200278657
エピタキシャル結晶成長方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-083430
公開番号（公開出願番号）：特開平5-254984
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1993年10月05日
要約：
【要約】【目的】 結晶成長及びドーピングが容易であると共にドーピング深さの調整が可能であり、更に積層構造を容易に得ることができる半導体エピタキシャル結晶成長方法及びその装置を提供する。【構成】 結晶を成長させる過程と、高出力レーザ光により薄膜の一部または全部を溶融し、かつドーピングガスを分解させて拡散させる過程とを閉鎖系にて交互に行うことにより、成長原料とドーパントとの分解条件の違い及び両者の気相での反応などの問題を生じることがなく、また上記過程を複数回繰り返すことによりドーピングの深さを変えたり積層構造を形成することができることから、様々な種類の高品質なエピタキシャル結晶基板を容易に得ることが可能となる。
請求項（抜粋）：
基板の表面に成長原料を供給して結晶成長させると共にドーパントを拡散させることにより半導体薄膜を得るエピタキシャル結晶成長方法であって、前記成長原料により所定の厚さの薄膜に結晶成長を行う過程と、高出力レーザ光を前記基板の表面に照射して前記薄膜の一部または全部を溶融し、かつ前記ドーパントをガスにて供給して前記レーザ光をもって分解して拡散させる過程とを外部から遮断された状態で交互に行うことを特徴とするエピタキシャル結晶成長方法。
IPC (4件)：
C30B 25/02
, C30B 23/08
, H01L 21/20
, H01L 21/205
