特許

J-GLOBAL ID：200903039209561513

厚膜パターン形成方法

発明者： 高田 祐助 ,  日比野 純一 ,  長尾 宣明
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-059018
公開番号（公開出願番号）：特開平10-255648
出願日： 1997年03月13日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 厚膜パターンの形成において、ペースト埋め込み時に空気の抱き込みを防ぎ、厚膜形状のばらつきを抑える。【解決手段】 基板50上に、基板表面に達する開口部5を有する被覆層1aを形成したうえで、開口部5に、複数回に分けて膜形成用ペーストを充填・乾燥させる。このとき、初回に充填・乾燥させる厚膜形成用ペースト4Aとして、2回目以降に充填・乾燥させる厚膜形成用ペースト4Bより粘度の低いものを用いることで厚膜形成用ペースト4Aを開口部5に十分馴染ませる。

請求項（抜粋）：

基板上に、基板表面に達する開口部を有する被覆層を形成したうえで、前記開口部に厚膜形成用ペーストを充填して乾燥させ、その後、前記被覆層を基板から取り除くことで厚膜パターンを形成する厚膜パターン形成方法であって、前記厚膜形成用ペーストの充填・乾燥操作を複数回に分けて行い、かつ、初回に充填・乾燥させる厚膜形成用ペーストとして、2回目以降に充填・乾燥させる厚膜形成用ペーストより粘度の低いものを用いることを特徴する厚膜パターン形成方法。