特許

J-GLOBAL ID：200903039209667087

半導体放熱構造

発明者： 宇都宮 次郎
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-241353
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082686
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 放熱フィンを基板の下面に薄くかつ気泡等ができないように接着可能な放熱度の高い半導体放熱構造を得る。【構成】 基板12にサーマルビア13を複数貫装する。このサーマルビア13間の基板12上下面に接着剤15の不要分が流入できるような逃げ溝12aを設ける。これにより、サーマルビア13の先端面が薄膜状接着剤15を介して放熱フィン14と最短距離で気泡なく接着されるようになり、熱抵抗が大幅に減少して良好な放熱特性が得られる。

請求項（抜粋）：

高発熱半導体素子を搭載した基板部分に、貫通する複数のサーマルビアを配列するとともに、基板下面に放熱フィンを接着する半導体放熱構造において、接着剤の逃げ溝を基板の少なくともサーマルビア間上下面に配設したことを特徴とする半導体放熱構造。