特許
J-GLOBAL ID：200903039212301093
高電子移動度トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-035493
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252175
出願日： 1993年02月24日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 ゲート耐圧の改善をはかり、しかもソース抵抗の低減化をはかってGmの改善をはかる。【構成】 化合物半導体基体1上に、少なくともアンドープのチャネル層2と電子供給層4とを有する高電子移動度トランジスタにおいて、電子供給層4が、厚さ方向に順次高不純物濃度-低不純物濃度-高不純物濃度の濃度分布を有する構成とし、電子供給層4の低不純物濃度部にゲート電極6が設けられた構成とする。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基体上に、少なくともアンドープのチャネル層と電子供給層とを有する高電子移動度トランジスタにおいて、上記電子供給層が、厚さ方向に順次高不純物濃度-低不純物濃度-高不純物濃度の濃度分布を有し、上記電子供給層の上記低不純物濃度部にゲート電極が設けられたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
