特許
J-GLOBAL ID：200903039213869441
真空処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-182590
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026545
出願日： 1997年07月08日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 真空中においてウェーハに半導体素子などを形成する真空処理装置に関し、特に真空処理装置の小型化と信頼性向上を目的とする。【解決手段】 ウェーハ30が収容されたカセット20を密封状態で保持するキャリア1と、前記キャリア1が密封状態で装着される副ロードロック室3と、前記キャリア1内のガス置換を行う前記副ロードロック室3との間が仕切弁4によって仕切られ、前記ウェーハ30の真空処理を行う真空処理室との間が仕切窓11によって仕切られたロードロック室2と、前記副ロードロック室3と前記ロードロック室2の間を移動して、前記キャリア1から取り出した前記ウェーハ30を移送する移送装置と、を装備する。
請求項（抜粋）：
被加工物が収容されたカセットを密封状態で保持するキャリアと、前記キャリアが密封状態で装着される副ロードロック室と、前記キャリア内のガス置換を行う前記副ロードロック室との間が仕切弁によって仕切られ、前記被加工物の真空処理を行う真空処理室との間が仕切窓によって仕切られたロードロック室と、前記副ロードロック室と前記ロードロック室の間を移動して、前記キャリアから取り出した前記被加工物を移送する移送装置と、を装備してなることを特徴とする真空処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/68 A
, H01L 21/02 Z
