特許
J-GLOBAL ID：200903039214565659
分布反射型半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 龍太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-272289
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097604
出願日： 1992年09月16日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】コヒーレント光伝送方式等の使用する、発振波長の高制御性、スペクトル線幅のより狭窄化、ゆらぎの抑圧等、より広帯域での単一モード特性を備えた分布反射型半導体レーザを提供する。【構成】DBR領域13を加熱する加熱手段9を、中央部の抵抗を端部に比べて小さくし、DBR領域の両端部を中央部に比べてより加熱する構造とした。その結果、加熱手段9の中央部の発熱を抑えることができ、DBR領域13の温度が一様となった。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1)上に、発光領域(11)と、位相制御領域(12)と、DBR領域(13)とがレーザ共振軸方向につらなって形成されている分布反射型半導体レーザにおいて、前記位相制御領域の上部に形成され位相制御領域を加熱するための第1の加熱手段(9a)と、前記DBR領域の上部に形成され、中央部の抵抗を両端部より小さくした第2の加熱手段(9b、9c))とを備え、前記DBR領域の両端部を中央部より高温で加熱することを特徴とする分布反射型半導体レーザ。
IPC (2件)：
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