特許
J-GLOBAL ID：200903039216596810
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 英彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-057267
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273191
出願日： 1994年03月28日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置にて、ビアコンタクトホール内へその側壁を構成する絶縁層から水分がしみださないようにすることにより、配線の腐食を防ぐこと。【構成】 下部配線層13、絶縁層及び上部配線層22を順次積層するように配置し、前記下部配線層13と前記上部配線層22とを前記絶縁層に形成されたビアコンタクトホール21を介して接続した半導体装置において、前記絶縁層のビアコンタクトホール21側壁を含む表面を心材用SOG膜16の表面を覆う耐透水性膜15、17、20により形成したことを特徴とする半導体装置。
請求項（抜粋）：
下部配線層、絶縁層及び上部配線層を順次積層するように配置し、前記下部配線層と前記上部配線層とを前記絶縁層に形成されたビアコンタクトホールを介して接続した半導体装置において、前記絶縁層のビアコンタクトホール側壁を含む表面を心材用SOG膜の表面を覆う耐透水性膜により形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/316
