半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-036183
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229380
出願日： 1993年06月03日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【目的】バリアメタル材料となる高融点金属窒化物の成長工程を有する半導体装置の製造方法に関し、配線のバリアメタルとなる高融点金属窒化物を低温で低抵抗に形成し、しかも、膜成長の際の反応生成物のチャンバ内の付着を防止するとともに、自然酸化膜の除去からコンタクトメタル、バリアメタルの成長までを減圧下で行うことを目的とする。【構成】高融点金属を含むソースガスと、該ソースガスを還元及び窒化するアルキルアミノ化合物、アルキルアジド化合物のうち少なくとも1つを還元ガス及び窒素源として使用し、高融点金属窒化物膜を化学気相成長法により形成する工程を含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

高融点金属を含むソースガスと、該ソースガスを還元及び窒化するアルキルアミノ化合物、アルキルアジド化合物のうち少なくとも1つを還元ガス及び窒素源として使用し、高融点金属窒化物膜を化学気相成長法により形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 , C23C 16/34 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/285 C , C23C 16/34 , H01L 21/90 C

Fターム (42件)：

4K030AA11 , 4K030AA24 , 4K030BA38 , 4K030CA04 , 4K030JA10 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 4M104BB01 , 4M104BB25 , 4M104BB30 , 4M104CC01 , 4M104DD37 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104DD84 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH16 , 5F033HH08 , 5F033HH27 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ27 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033KK33 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033NN03 , 5F033NN07 , 5F033PP02 , 5F033PP03 , 5F033PP06 , 5F033QQ70 , 5F033RR04 , 5F033RR14 , 5F033WW03 , 5F033XX08

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開平3-278431
特開平3-214734
特開平3-101231

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審査官引用 (10件)

特開平3-278431
特開平3-214734
特開平3-101231

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